研究方向
核心器件研发:
①垂直结构LED设计研发，相对于传统平面结构LED，垂直结构LED的PN电极上下垂直分布，芯片内电流分布均匀、散热良好、便于表面处理、衬底可循环使用。具有取代现有的器件结构成为主流技术方案的潜力。获得垂直结构的外延、芯片制备及封装技术；开发出适于不同垂直结构衬底的衬底处理技术；掌握高效垂直结构产业化制备技术；获得基于大尺寸衬底的垂直结构白光LED制备技术；高效白光LED器件及应用。
②绿光LED研究，由于目前绿光发光效率明显落后于红光和蓝光，影响RGB光源呈现效果、造成RGB三色在混成白光时陷入发展瓶颈。研究内容包括优化材料生长条件，降低高In组分InGaN材料的缺陷密度、研究InGaN/GaN量子点结构、优化p电流扩展层的生长条件，降低其对绿光的吸收和高温生长对量子阱结构的破坏、研究II-V族化合物半导体材料，如ZnSe，CdSe，ZnTe等，其发光波长在550-580nm，可以对绿光全光谱（500-580nm）进行很好的补充。
③ AC/DC交直流LED研发，GaN基LED一般在3V左右的直流电下工作，需要加入电源转换装置才能接入110V或220V的交流市电，一方面电源转换装置的使用寿命远低于LED的寿命，另一方面这个转换过程消耗20%-30%的能量。如果能将LED直接接入市电，不仅安装方便，节省成本，提高使用寿命，还有利于提高发光效率。交流LED芯片的几种实现方法：电路式：在一个芯片上制做多个单元的二极管，然后按一定的串并联组合连接。电容式：通过二极管与电容串联来实现分压的作用，工艺上也很容易把电容直接做到芯片上，从而使LED能直接接入市电。
④在SiC和Si衬底上，开发出高性能的基于GaN材料的高电子迁移率三极管（HEMT）和肖特基二极管（SBD）。通过采用氮化镓二极管作为主整流管，由于几乎没有恢复时间，可以极大的减少高频整流损耗；采用氮化镓三极管作为主开关管，可以将开关频率从目前的30-80kHz提高至150-250kHz，从而减少磁性器件的体积，降低磁滞损耗、节约成本。同时，由于氮化镓三极管具有极低导通电阻、极小的寄生电容，可以极大的降低软开关的成本。
①垂直结构LED设计研发，相对于传统平面结构LED，垂直结构LED的PN电极上下垂直分布，芯片内电流分布均匀、散热良好、便于表面处理、衬底可循环使用。具有取代现有的器件结构成为主流技术方案的潜力。获得垂直结构的外延、芯片制备及封装技术；开发出适于不同垂直结构衬底的衬底处理技术；掌握高效垂直结构产业化制备技术；获得基于大尺寸衬底的垂直结构白光LED制备技术；高效白光LED器件及应用。
②绿光LED研究，由于目前绿光发光效率明显落后于红光和蓝光，影响RGB光源呈现效果、造成RGB三色在混成白光时陷入发展瓶颈。研究内容包括优化材料生长条件，降低高In组分InGaN材料的缺陷密度、研究InGaN/GaN量子点结构、优化p电流扩展层的生长条件，降低其对绿光的吸收和高温生长对量子阱结构的破坏、研究II-V族化合物半导体材料，如ZnSe，CdSe，ZnTe等，其发光波长在550-580nm，可以对绿光全光谱（500-580nm）进行很好的补充。
③ AC/DC交直流LED研发，GaN基LED一般在3V左右的直流电下工作，需要加入电源转换装置才能接入110V或220V的交流市电，一方面电源转换装置的使用寿命远低于LED的寿命，另一方面这个转换过程消耗20%-30%的能量。如果能将LED直接接入市电，不仅安装方便，节省成本，提高使用寿命，还有利于提高发光效率。交流LED芯片的几种实现方法：电路式：在一个芯片上制做多个单元的二极管，然后按一定的串并联组合连接。电容式：通过二极管与电容串联来实现分压的作用，工艺上也很容易把电容直接做到芯片上，从而使LED能直接接入市电。
④在SiC和Si衬底上，开发出高性能的基于GaN材料的高电子迁移率三极管（HEMT）和肖特基二极管（SBD）。通过采用氮化镓二极管作为主整流管，由于几乎没有恢复时间，可以极大的减少高频整流损耗；采用氮化镓三极管作为主开关管，可以将开关频率从目前的30-80kHz提高至150-250kHz，从而减少磁性器件的体积，降低磁滞损耗、节约成本。同时，由于氮化镓三极管具有极低导通电阻、极小的寄生电容，可以极大的降低软开关的成本。
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