设备简介:
厂商:AST
型号 CIRIE-200
技术指标:
1.刻蚀气体:主要为氯气、三氯化硼;
2.刻蚀材料:GaN、蓝宝石;
3.wafer尺寸:2英寸或以下;
4.每炉片数:7片*2inch
工艺特点:
1.可以较好地精确地控制刻蚀的深度,刻蚀深度几十nm到几个微米;
2.通过调整刻蚀参数和刻蚀掩膜,可以调节刻蚀的角度,在30度到80度。