技术指标：

厂商：Oerlikon

型号： 790+

设备简介：

1.300℃低温即可淀积高质量薄膜，均匀性和重复性好;

2.氧化硅膜厚度任意可控：从几十纳米到几十微米都可淀积，膜厚控制精确;

3.单炉生长37片2”片，极大节约成本。

工艺特点：

1.可以低温下淀积极低应力的氮化硅膜;

2.可以实现氮氧化硅（SiON）薄膜的折射率从氧化硅的折射率平滑改变到氮化硅的折射率（1.5~1.9）。