技术参数:


样品腔尺寸:净内径为26 mm;基系统磁场强度:纵向磁体:±9 T;场均匀性:±0.01%

磁场分辨率:  0.02 mT    0<H<1 T0.2 mT 1<H<9 T;最大测量电阻:4MΩ

温度范围:1.9-400K

 

主要应用领域:


可进行交直流电阻、微分电阻、霍尔效应和伏安特性等测量。使用专用样品托,每次可同时测量2个样品。

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