厂商:厦门烯成
型号: G-CVD
技术指标:
1.可以转移到2-6英寸Si及其他衬底。生长温度700-1000℃;
2.可转移5片2”/批
工艺特点:
兼容真空及常压两种最主流的生长模式;
1.采用计算机自动控制,系统内置了多种制备石墨烯的生长参数,用户只需简单操作,就可以轻松的制备出高质量的石墨烯;
2.可以制备出毫米尺寸的石墨烯大单晶,也可以制备出数十厘米尺寸的石墨烯连续薄膜;
3. 可快速升温、快速降温,生长一次石墨烯只需30分钟