设备介绍：

    中心拥有多台MOCVD，既有国外引进的VECCO机台，也有国产自主研制机台，可在蓝宝石衬底、Si衬底、SiC衬底等上生长GaN、AlN、AlGaN、InGaN等材料，以及LED、LD、HEMT等结构材料。在此基础上，可以实现深紫外LED、紫外LED、蓝光LED、绿光LED和紫外LD、紫外LD、蓝光LD、绿光LD的外延生长工艺，外延质量达到国际领先水平。此外，在电力电子器件方面，还可以外延GaN基HEMT、HBT等。

   
主要技术指标：
 

1、衬底温度范围100～1500℃，温度稳定性＜±2℃，升温速率0.5℃～3℃/s 连续可调；

2、反应室压力控制范围 20～760 Torr连续可调，控制精度为 1 Torr；

3、系统气密性： 管路系统漏气率＜ 1×10-9 Pa·l/s ； 反应室漏气率＜3×10-9 Pa·l/s；具有

TMGa、TMIn、TMAl、TMMg等多路MO源。